Плазменные Технологии Учебное Пособие

Приведенный ниже текст получен путем автоматического извлечения из оригинального PDF-документа и предназначен для предварительного просмотра. Изображения (картинки, формулы, графики) отсутствуют.

элементов. Это вызывает появление толстого, рваного клина и растравливание оксида под слоем фоторезиста. Поэтому для травления SiО2 часто применяют травитель (буферный) с замедляющей добавкой, которой является фтористый аммоний NH4F. Процесс травления SiО2 в таком травителе происходит следующим образом: SiО2 + 4HF + 2NH4F →(NH4)2SiF6 + 2Н2О Рекомендуемый состав буферного травителя: плавиковая кислота (48%), фтористый аммоний (40%) и вода в соотношении 2:7:1. Качество вытравленного рельефа на различных оксидах зависит от применяемого травителя, соотношения его компонентов, температуры травления и состояния обрабатываемой поверхности. Увеличение концентрации кислоты в травителе повышает скорость травления SiО2, но качество вытравленного рельефа при этом ухудшается. Увеличение концентрации фтористого аммония уменьшает скорость травления SiО2 и улучшает качество вытравленного рельефа. Повышение температуры травильного раствора увеличивает скорость травления диоксида кремния, однако качество вытравленного рельефа при этом ухудшается. Оптимальная температура травления 20°С. О полном удалении оксида свидетельствует изменение интерфе- ренционных цветов или характера смачивания поверхности пластины - «свидетеля». При стравливании SiО2 поверхность переходит из гидрофильного в гидрофобное состояние: обнажившийся кремний не смачивается травителем. Нитрид кремния Si3N4 обладает высокой стойкостью к боль- шинству химических реагентов. Пленки нитрида кремния слабо растворяются в соляной, серной, азотной кислотах, а также в водных растворах щелочей. Для травления нитрида кремния используют 87%-ную ортофос- форную кислоту Н3Р04, насыщенную фосфорным ангидридом Р2О5 из рас- чета 9, 5 г Р2О5 на каждые 58 мл Н3РО4. Оптимальная температура травления 180 - 200°С, скорость ~ 10 нм/мин. Маски из фоторезиста не могут обеспечить качественного трав- ления нитрида кремния в столь жестких условиях. При воздействии кипящей концентрированной ортофосфорной кислоты на фоторезист происходит его растрескивание и отслаивание. В качестве защитной маски в данном случае используют диоксид кремния толщиной 0, 20 – 0, 25 мкм. На операцию фотолитографии поступают кремниевые пластины с двухслойной поверхностной структурой — пленкой нитрида кремния толщиной 0, 15—0, 20 мкм, закрытой маской диоксида кремния. На первом этапе проводят фотолитографию по слою диоксида кремния с последующим локальным травлением его в буферном травителе. После снятия защитной маски фоторезиста приступают к травлению нитрида кремния. - 51 - При изготовлении металлизированной разводки, формировании топологии контактных площадок приборов проводят фотолитографию по слою металла (алюминия, золота, хрома...

Похожие страницы: